
モリブデンターゲット
2。カタログ:モリブデン製品
3。材料:純粋なモリブデン、モリブデン合金
4。純度:3N5、MOが99.95%以上
5。密度:10.2g\/cm3
6。形状:ディスク、丸、正方形、チューブ、プレート、バー、ストリップ
7。タイプ:回転ターゲット、平面ターゲット、円形ターゲット、プレートターゲット、フラットターゲット、不規則な形状のカスタマイズされたターゲット
8。表面:磨かれた明るい金属製の光沢、滑らか
9。アプリケーション:主に、物理的蒸気堆積(PVD)テクノロジーのスパッタリングコーティングプロセスに使用されます。 CVD、APS、VPSコーティング技術。
10。製造技術:焼結、鍛造、ローリング、アニーリング、熱処理、加工。
モリブデンターゲットは、モリブデンスパッタリングターゲットとしても知られており、金属モリブデン(MO)材料で作られた金属ターゲットです。薄膜を作るために使用される主要な材料の1つです。主に、物理的蒸気堆積(PVD)技術のスパッタリングコーティングプロセスで使用されます。また、すべてのフラットコーティングおよびロータリーコーティングシステムにも適しています。
モリブデンには、融点が高く、導電率が高く、特定のインピーダンスが低く、良好な腐食抵抗性と良好な環境性能があります。そのため、モリブデンスパッタリングターゲットは、マグネトロンスパッタリングプロセスを通じてさまざまな基質にモリブデンコーティングを形成できます。このモリブデンコーティングは、電子部品と電子製品で広く使用されています。
Luoyang Rare Metal Research Saterial Co.、Ltdは、平面ターゲットや回転ターゲットなど、さまざまな種類のMOターゲットの生産を専門としており、モリブデンスパッタリングターゲットとモリブデンアノードターゲットをカバーして、さまざまな種類のマグネトロンスパッタリング装置に一致します。すべての製品は、要件に応じてカスタマイズされます。
私たちが生産するターゲットは、高い純度、低い不純物含有量、高密度、微細、均等に分布した穀物サイズ、および優れたパフォーマンスを備えた最小の平均粒サイズを持っています。同時に、短時間で大量生産を実行することができ、配達時間が保証されます。
製品仕様
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モリブデンターゲット仕様 |
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処理範囲 |
厚さ\/直径(mm) |
幅(mm) |
長さ(mm) |
粗さ(mm) |
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g4。5-11。5ターゲット |
1.5-40 |
1.0-2500.00 |
1.0-4000.00 |
ra 0。2-6 |
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モリブデンチューブターゲット |
120-170 |
/ |
3500 |
ra 0。2-6 |
製品のパフォーマンス機能
1)高純度:
MOターゲットの純度は、そのパフォーマンスの重要な指標です。一般的に、MOターゲットの純度は99.95%以上に達する可能性があります。高純度により、フィルム堆積プロセス中の不純物の最小化が保証され、最終製品の品質が向上します。
2)高密度:
モリブデンの理論密度に近い密度(10.22 g\/cm³)は、高品質のモリ標的の兆候です。高密度は、材料にボイドが少なく、構造がコンパクトであることを示しています。これは、ターゲット材料のサービス寿命と安定性を改善するために重要です。
3)高い熱伝導率:
モリブデンの熱伝導率は約138 w\/m・kです。高い熱伝導率は、高速コーティング中のターゲットの温度制御にとって非常に重要であり、ターゲットの過熱と構造的損傷を防ぐのに役立ちます。
4)熱膨張係数が低い:
モリブデンの熱膨張係数は、約4.8×10^-6 \/程度です。この機能は、製品が温度変化の下で良好な寸法安定性を持っていることを意味し、これがフィルム堆積プロセスの一貫性と精度を維持するのに役立ちます。
5)高い硬度と強さ:
モリブデンは、約2500 hVのビッカーズの硬度を持ち、機械的強度が高くなっています。これにより、製品は高速コーティング中の機械的影響に耐えることができます。
6)良好な表面の平坦性と粗さ:
表面の平坦性と粗さは、MOターゲットの品質を評価するための重要なパラメーターでもあります。良好な表面処理は、ターゲットの使用中に粒子の生成を減らし、堆積膜の均一性と品質を改善することができます。
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モリブデンターゲット特性 |
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化学記号 |
MO |
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原子番号 |
42 |
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原子量 |
95.96 g\/mol |
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結晶構造 |
AZボディ中心の立方体(BCC) |
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純度 |
99.95%min |
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密度 \/g・cm-3 |
10.2 g\/cc |
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融点 |
2617。0学位(2890.15 K、4742.6度F) |
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沸点 |
4612。0学位(4885.15 K、8333.6度f) |
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熱伝導率 |
138 W/m x K |
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熱膨張係数\/k-1 |
(0-1600度):4.8×10^-6\/度 |
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ビッカーズの硬さ |
2500 HV |
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色\/外観 |
シルバーホワイト、メタリック |
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Z比 |
0.257 |
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スパッタ |
DC |
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最大電力密度(ワッツ\/平方インチ) |
150 |
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債券の種類 |
インジウム、エラストマー |
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比熱 |
0。276kj\/kg x k 20度 |
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融合の特定の潜熱 |
270 kj\/kg(推定値) |
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燃焼熱 |
7.58 mj\/kg |
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電気抵抗率: |
53.4nω・m 20度で |
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電気伝導率 |
0程度の34%IACS |
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降伏強度 |
(1600度):50mpa |
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低蒸気圧 |
(2151度):4.48x10⁻⁷pa |
製品アプリケーション
モリブデン標的材料は、基質上に薄膜を形成できます。で広く使用されています:
- 半導体製造、電子コンポーネント、マイクロエレクトロニクス産業、統合回路、情報ストレージ、レーザーストレージ、電子制御デバイス。
- 導電性ガラス、光学ガラス、コーティングされたガラス産業(主に建築ガラス、自動車ガラス、光学式ガラスなど)
- イオンメッキおよびその他の産業。
- 薄膜太陽光発電細胞。
- 医療イメージング機器。
- フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ、タッチスクリーン。
- 自動車用ライト、装飾的なコーティング、ツールと金型コーティングなど。
- 耐摩耗性材料、高温腐食材料などでも使用できます。

なぜ私たちを選ぶのですか?
1)高純度
高純度モリブデンパウダーを原料として選択します。純度は99.95%を超えており、不純物要素の導入は準備プロセス中に厳密に制御されます。スパッタされたフィルムのパフォーマンスが良いことを保証します。
2)高密度
急速な密度を達成できる形成および焼結技術を選択し、スパッタリングターゲットの相対密度は98%を超えています。 、ターゲットの低気孔率を確保するために、密度が高いターゲットは、コーティングプロセス中にフィルム粒子のスプラッシュを減らし、それによってフィルムの品質を改善できます。
3)小さく均一な穀物サイズ
私たちが生成するモリブデンターゲットは、より均一な微細構造分布を持ち、特定の結晶の向きを形成でき、穀物は小さく均一です。細かい粒粒のターゲット材料のスパッタリング速度は、粗粒のスパッタリング速度よりも速く、粒子サイズの差が小さくなる標的材料は、堆積膜のより均一な厚さ分布を持っています。 MOターゲットのスパッタリングパフォーマンスの方が優れています。
4)幅広いターゲット材料から選択できる
私たちがあなたに提供できるモリブデンスパッタリングターゲットには多くの種類があります。形状に応じて、それらはモリブデンラウンドターゲット、四角いターゲット、バーターゲット、チューブターゲットに分けることができます。物質分類によれば、それらは純粋なモリターゲットとモリ合金ターゲットに分けることができます。
5)生産機器の完全なセット
Luoyang Rare Metal Research Material Co.、Ltdには、大きな等等型プレス、大きな真空およびガス保護糸状炉、大型CNCミリング機と大型CNCグラインダー、および成熟した生産プロセスなど、さまざまな種類の製品を大量に生産できるような装備セットがあります。
6)完全なテスト装置
密度、硬度、表面粗さなどの物理的な特性試験装置の完全なセットを提供することができます。したがって、渦電流テスターと超音波機器を使用する場合、製品の高品質を確保するために、毛穴や亀裂などの製品の内部損傷を厳密にチェックできます。
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アイテム |
電力密度(w\/cm2) |
SubstrateT皇帝( 程度 ) |
FilM層 レート(a・m\/min) |
S特異性R耐久性@2000a(μωcm) |
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MOターゲット |
5.0 |
100.0 |
342.8 |
11.7 |
製品生産プロセス
モリブデンの標的は、粉末冶金によって生成されます。
まず、モリブデンパウダーをスクリーニングし、プレスするために型に積み込まれます。
押し付けて形成した後、中程度の周波数誘導炉または真空焼結炉で焼結し、転がして機械加工されます。最後に、顧客のサイズと表面の要件を満たす完成したターゲット材料に処理されます。
粉末冶金により、製品は高密度、良好な均一性、微細構造の優れた性能を備えており、短い生産サイクルの特性、プロセスが少ない、低エネルギー消費量、小さな材料の損失もあります。

モリブデンターゲットの使用原理
モリブデンスパッタリングターゲットは、主にマグネトロンスパッタリングコーティングに使用されます。これは、新しい物理的蒸気堆積(PVD)メソッドです。スパッタされたターゲット(カソード)とアノードの間に直交磁場と電界が追加され、必要な不活性ガス(通常はARガス)が高真空チャンバーに埋められます。電界の作用の下で、ARガスはイオンと電子にイオン化されます。特定の負の高電圧がターゲットに適用されます。ターゲットから放出される電子は磁場の影響を受け、作業ガスのイオン化確率が増加し、カソードの近くに高密度血漿が形成されます。 ARイオンは、ローレンツ力の作用下でターゲット表面に飛ぶように加速され、ターゲット表面を非常に高速で攻撃します。これにより、ターゲットに跳ね上がった原子が運動量変換の原理に従い、より高い運動エネルギーで基板に飛んで膜を形成します。
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